TSM061NA03CV RGG
Hersteller Produktnummer:

TSM061NA03CV RGG

Product Overview

Hersteller:

Taiwan Semiconductor Corporation

Teilenummer:

TSM061NA03CV RGG-DG

Beschreibung:

MOSFET N-CH 30V 66A 8PDFN
Detaillierte Beschreibung:
N-Channel 30 V 66A (Tc) 44.6W (Tc) Surface Mount 8-PDFN (3.1x3.1)

Inventar:

12897064
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TSM061NA03CV RGG Technische Spezifikationen

Kategorie
FETs, MOSFETs, Einzel-FETs, MOSFETs
Hersteller
Taiwan Semiconductor
Verpackung
-
Reihe
-
Produktstatus
Obsolete
FET-Typ
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Drain zur Quellspannung (Vdss)
30 V
Strom - Kontinuierlicher Abfluss (Id) @ 25°C
66A (Tc)
Antriebsspannung (max. Rds an, min rds an)
4.5V, 10V
Rds Ein (Max) @ Id, Vgs
6.1mOhm @ 16A, 10V
vgs(th) (max.) @ id
2.5V @ 250µA
Gate-Ladung (Qg) (Max) @ Vgs
19.3 nC @ 10 V
Vgs (Max)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) @ Vds
1136 pF @ 15 V
FET-Funktion
-
Verlustleistung (max.)
44.6W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C ~ 150°C (TJ)
Art der Montage
Surface Mount
Gerätepaket für Lieferanten
8-PDFN (3.1x3.1)
Paket / Koffer
8-PowerWDFN
Basis-Produktnummer
TSM061

Datenblatt & Dokumente

Datenblätter

Zusätzliche Informationen

Standard-Paket
5,000
Andere Namen
TSM061NA03CVRGGCT
TSM061NA03CV RGGDKR-DG
TSM061NA03CVRGGTR
TSM061NA03CV RGGTR
TSM061NA03CVRGGDKR
TSM061NA03CV RGGCT
TSM061NA03CV RGGCT-DG
TSM061NA03CV RGGDKR
TSM061NA03CV RGGTR-DG

Umwelt- und Exportklassifizierung

RoHS-Status
ROHS3 Compliant
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL)
1 (Unlimited)
REACH-Status
REACH Unaffected
ECCN (Englisch)
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Alternative Modelle

Teilenummer
NTTFS4C08NTAG
HERSTELLER
onsemi
VERFÜGBARE ANZAHL
1400
TEILNUMMER
NTTFS4C08NTAG-DG
Einheitspreis
0.36
ERSATZART
Similar
Teilenummer
RJK03M5DNS-00#J5
HERSTELLER
Renesas Electronics Corporation
VERFÜGBARE ANZAHL
0
TEILNUMMER
RJK03M5DNS-00#J5-DG
Einheitspreis
0.41
ERSATZART
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Teilenummer
NTTFS4C10NTWG
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